中商情報網訊：據悉，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲24日在2020國際第三代半導體論壇上透露，雙循環模式推動國產化替代。預計2020年中國SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產值約為70億元。其中，SiC、GaN電力電子產業產值2020年將達35.35億元，比去年的29.03億元將增長21.77%；GaN微波射頻產業產值2020年將達33.75億元，比去年的26.15億元將增長29%。
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在第三代半導體材料產業鏈制造以及應用環節上，SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能電網、新能源汽車等行業。與硅元器件相比，GaN具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，是超高頻器件的極佳選擇，適用于5G通信、微波射頻等領域的應用。
具體來看，氮化鎵產業鏈與碳化硅產業鏈環節無較大差別，同樣分為襯底、外延片和器件環節。盡管碳化硅被更多地作為襯底材料，但國內仍有從事氮化鎵單晶生長的企業，主要有蘇州納維、東莞中鎵、上海鎵特和芯元基等；從事氮化鎵外延片的國內廠商主要有三安光電、賽微電子、海陸重工、晶湛半導體、江蘇能華、英諾賽科等；從事氮化鎵器件的廠商主要有三安光電、聞泰科技、賽微電子、聚燦光電、乾照光電等。
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中商產業研究院特整理第三代半導體材料氮化鎵概念股相關企業名單如下：
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