中商情報網訊：近年來，以碳化硅為代表的第三代半導體材料在禁帶寬度、擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導率以及抗輻射等關鍵參數方面具有顯著優勢，進一步滿足了現代工業對高功率、高電壓、高頻率的需求。以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率器件具有優越的電氣性能，具體如下：
資料來源：中商產業研究院整理
正是由于碳化硅器件具備的上述優越性能，可以滿足電力電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻及抗輻射等惡劣工作條件的新要求，從而成為半導體材料領域最具前景的材料之一。
第三代半導體材料中，受技術與工藝水平限制，氮化鎵材料作為襯底實現規模化應用仍面臨挑戰，其應用主要是以藍寶石、硅晶片或碳化硅晶片為襯底，通過外延生長氮化鎵以制造氮化鎵器件。相比而言，近年來碳化硅晶片作為襯底材料的應用逐步成熟并進入產業化階段，以碳化硅晶片為襯底的下游產業鏈圖示如下：
資料來源：中商產業研究院整理
如發現本站文章存在版權問題，煩請聯系editor@askci.com我們將及時溝通與處理。
2015-2019年中國碳化硅行業研究報告
2019-2023年中國碳化硅市場前景及投資發展戰略研究報告
2016-2021年中國碳化硅行業市場前景與投資戰略研究報告
2016-2021年中國碳化硅行業市場調研與投資機會研究報告
