中商情報網訊：新型功率半導體器件IGBT是電力電子行業的“CPU”，IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
近年來，中國新型功率半導體器件行業受到各級政府的高度重視和國家產業政策的重點支持。國家陸續出臺了多項政策，鼓勵新型功率半導體器件行業發展與創新，《關于加快培育發展制造業優質企業的指導意見》《基礎電子元器件產業發展行動計劃（2021-2023年）》《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》等產業政策為新型功率半導體器件行業的發展提供了明確、廣闊的市場前景，為企業提供了良好的生產經營環境。具體情況列示如下：
資料來源：中商產業研究院整理
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