中商情報網訊：IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的「CPU」。
中國已經成為全球最大的IGBT市場，近年來IGBT產量及需求量持續增長。2021年我國IGBT行業產量將達到0.26億只，需求量約為1.32億只。預計2022年我國IGBT行業產量將達到0.41億只，需求量約為1.56億只。
數據來源：Yole、中商產業研究院整理
IGBT下游應用領域中，新能源汽車、工業控制是最主要的應用領域。新能源汽車市場占比最大達31%，消費電子領域市場占比27%，工控領域是IGBT需求的重要支撐，市場占比20%，新能源發電占比11%。
數據來源：Trendforce、中商產業研究院整理
更多資料請參考中商產業研究院發布的《中國IGBT行業市場前景及投資機會研究報告》，同時中商產業研究院還提供產業大數據、產業情報、產業研究報告、產業規劃、園區規劃、十四五規劃、產業招商引資等服務。
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