2.1　2019-2021年全球第三代半導體產業運行狀況
2.1.1　標準制定情況
2.1.2　國際產業格局
2.1.3　市場發展規模
2.1.4　SiC創新進展
2.1.5　GaN創新進展
2.1.6　企業競爭格局
2.1.7　企業發展布局
2.1.8　企業合作動態
2.2　美國
2.2.1　經費投入規模
2.2.2　產業技術優勢
2.2.3　技術創新中心
2.2.4　項目研發情況
2.2.5　戰略層面部署
2.3　日本
2.3.1　產業發展計劃
2.3.2　封裝技術聯盟
2.3.3　技術領先狀況
2.3.4　產業戰略部署
2.3.5　國際合作動態
2.4　歐盟
2.4.1　項目研發情況
2.4.2　產業發展基礎
2.4.3　前沿企業格局
2.4.4　未來發展熱點

3.1　政策環境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　行業標準現行情況
3.1.4　中美貿易摩擦影響
3.2　經濟環境（Economic）
3.2.1　宏觀經濟概況
3.2.2　工業運行情況
3.2.3　投資結構優化
3.2.4　未來經濟展望
3.3　社會環境（Social）
3.3.1　社會教育水平
3.3.2　知識專利水平
3.3.3　研發經費投入
3.3.4　技術人才儲備
3.4　技術環境（Technological）
3.4.1　專利申請狀況
3.4.2　科技計劃專項
3.4.3　制造技術成熟
3.4.4　產業技術聯盟

4.1　中國第三代半導體產業發展特點
4.1.1　數字基建打開成長空間
4.1.2　背光市場空間逐步擴大
4.1.3　襯底和外延是關鍵環節
4.1.4　各國政府高度重視發展
4.1.5　產業鏈向國內轉移明顯
4.2　2019-2021年中國第三代半導體產業發展運行綜述
4.2.1　產業發展現狀
4.2.2　產線產能規模
4.2.3　產業標準規范
4.2.4　國產替代狀況
4.2.5　行業發展空間
4.3　2019-2021年中國第三代半導體市場運行狀況分析
4.3.1　市場發展規模
4.3.2　細分市場規模
4.3.3　市場應用分布
4.3.4　區域競爭格局
4.3.5　企業競爭格局
4.3.6　產品發展動力
4.4　2019-2021年中國第三代半導體上游原材料市場發展分析
4.4.1　上游金屬硅產能釋放
4.4.2　上游金屬硅價格走勢
4.4.3　上游氧化鋅市場現狀
4.4.4　上游材料產業鏈布局
4.4.5　上游材料競爭狀況分析
4.5　中國第三代半導體產業發展問題分析
4.5.1　產業發展問題
4.5.2　市場推進難題
4.5.3　技術發展挑戰
4.5.4　材料發展挑戰
4.6　中國第三代半導體產業發展建議及對策
4.6.1　產業發展建議
4.6.2　建設發展聯盟
4.6.3　加強企業培育
4.6.4　集聚產業人才
4.6.5　推動應用示范
4.6.6　材料發展思路

5.1　GaN材料基本性質及制備工藝發展狀況
5.1.1　GaN產業鏈
5.1.2　GaN結構性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　技術專利情況
5.1.6　技術發展趨勢
5.2　GaN材料市場發展概況分析
5.2.1　市場供給情況
5.2.2　材料價格走勢
5.2.3　材料技術水平
5.2.4　應用市場結構
5.2.5　應用市場預測
5.2.6　市場競爭狀況
5.3　GaN器件及產品研發情況
5.3.1　器件產品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　光電子器件
5.4　GaN器件應用領域及發展情況
5.4.1　電子電力器件應用
5.4.2　高頻功率器件應用
5.4.3　應用實現條件與對策
5.5　GaN器件發展面臨的挑戰
5.5.1　器件技術難題
5.5.2　電源技術瓶頸
5.5.3　風險控制建議

6.1　SiC材料基本性質與制備技術發展狀況
6.1.1　SiC性能特點
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產品類型
6.1.4　單晶技術專利
6.1.5　技術發展路線
6.2　SiC材料市場發展概況分析
6.2.1　產業鏈分析
6.2.2　材料價格走勢
6.2.3　材料市場規模
6.2.4　材料技術水平
6.2.5　市場應用情況
6.2.6　企業競爭態勢
6.3　SiC器件及產品研發情況
6.3.1　電力電子器件
6.3.2　功率模塊產品
6.3.3　器件產品研發
6.3.4　產品發展趨勢
6.4　SiC器件應用領域及發展情況
6.4.1　應用整體技術路線
6.4.2　電網應用技術路線
6.4.3　電力牽引應用技術路線
6.4.4　電動汽車應用技術路線
6.4.5　家用電器和消費類電子應用

7.1　Ⅲ族氮化物半導體材料發展分析
7.1.1　基礎概念介紹
7.1.2　材料結構性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產品
7.1.5　應用發展狀況
7.1.6　發展建議對策
7.2　寬禁帶氧化物半導體材料發展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結構性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應用器件
7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導體材料發展分析
7.3.1　材料結構性能
7.3.2　材料制備工藝
7.3.3　主要技術發展
7.3.4　器件應用發展
7.3.5　未來發展趨勢
7.4　金剛石半導體材料發展分析
7.4.1　材料結構性能
7.4.2　襯底制備工藝
7.4.3　主要器件產品
7.4.4　應用發展狀況
7.4.5　器件研發進展
7.4.6　未來發展前景

8.1　第三代半導體下游產業應用領域發展概況
8.1.1　下游應用產業分布
8.1.2　下游產業優勢特點
8.1.3　下游產業需求旺盛
8.2　2019-2021年電子電力領域發展狀況
8.2.1　全球市場發展規模
8.2.2　國內市場發展規模
8.2.3　國內器件應用分布
8.2.4　國內應用市場規模
8.2.5　器件廠商布局分析
8.2.6　器件產品價格走勢
8.3　2019-2021年微波射頻領域發展狀況
8.3.1　射頻器件市場規模
8.3.2　射頻器件市場結構
8.3.3　射頻器件市場需求
8.3.4　國防基站應用規模
8.3.5　射頻器件發展趨勢
8.4　2019-2021年半導體照明領域發展狀況
8.4.1　發展政策支持
8.4.2　行業發展規模
8.4.3　產業鏈分析
8.4.4　應用市場分布
8.4.5　照明技術突破
8.4.6　技術發展方向
8.4.7　行業發展展望
8.5　2019-2021年半導體激光器發展狀況
8.5.1　市場規模現狀
8.5.2　企業發展格局
8.5.3　應用研發現狀
8.5.4　主要技術分析
8.5.5　未來發展趨勢
8.6　2019-2021年5G新基建領域發展狀況
8.6.1　5G建設進程
8.6.2　應用市場規模
8.6.3　賦能射頻產業
8.6.4　應用發展方向
8.6.5　產業發展展望
8.7　2019-2021年新能源汽車領域發展狀況
8.7.1　行業市場規模
8.7.2　主要應用場景
8.7.3　企業布局情況
8.7.4　市場應用空間
8.7.5　市場需求預測

9.1　2019-2021年第三代半導體產業區域發展概況
9.1.1　產業區域分布
9.1.2　區域建設回顧
9.2　京津翼地區第三代半導體產業發展分析
9.2.1　北京產業發展狀況
9.2.2　順義產業扶持政策
9.2.3　保定產業發展情況
9.2.4　應用聯合創新基地
9.2.5　區域未來發展趨勢
9.3　中西部地區第三代半導體產業發展分析
9.3.1　四川產業發展狀況
9.3.2　重慶產業發展狀況
9.3.3　西安產業發展狀況
9.4　珠三角地區第三代半導體產業發展分析
9.4.1　廣東產業發展政策
9.4.2　廣州市產業支持
9.4.3　深圳產業發展狀況
9.4.4　東莞產業發展狀況
9.4.5　區域未來發展趨勢
9.5　華東地區第三代半導體產業發展分析
9.5.1　江蘇產業發展概況
9.5.2　蘇州產業發展狀況
9.5.3　山東產業發展規劃
9.5.4　福建產業發展狀況
9.5.5　區域未來發展趨勢
9.6　第三代半導體產業區域發展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補足SiC領域短板
9.6.3　開展關鍵技術研發
9.6.4　鼓勵地方加大投入

10.1　三安光電股份有限公司
10.1.1　企業發展概況
10.1.2　業務布局動態
10.1.3　經營效益分析
10.1.4　業務經營分析
10.1.5　財務狀況分析
10.1.6　核心競爭力分析
10.1.7　公司發展戰略
10.1.8　未來前景展望
10.2　北京賽微電子股份有限公司
10.2.1　企業發展概況
10.2.2　相關業務布局
10.2.3　經營效益分析
10.2.4　業務經營分析
10.2.5　財務狀況分析
10.2.6　核心競爭力分析
10.2.7　公司發展戰略
10.2.8　未來前景展望
10.3　廈門乾照光電股份有限公司
10.3.1　企業發展概況
10.3.2　經營效益分析
10.3.3　業務經營分析
10.3.4　財務狀況分析
10.3.5　核心競爭力分析
10.3.6　公司發展戰略
10.3.7　未來前景展望
10.4　湖北臺基半導體股份有限公司
10.4.1　企業發展概況
10.4.2　經營效益分析
10.4.3　業務經營分析
10.4.4　財務狀況分析
10.4.5　核心競爭力分析
10.4.6　公司發展戰略
10.5　華燦光電股份有限公司
10.5.1　企業發展概況
10.5.2　經營效益分析
10.5.3　業務經營分析
10.5.4　財務狀況分析
10.5.5　核心競爭力分析
10.5.6　公司發展戰略
10.5.7　未來前景展望
10.6　聞泰科技股份有限公司
10.6.1　企業發展概況
10.6.2　經營效益分析
10.6.3　業務經營分析
10.6.4　財務狀況分析
10.6.5　核心競爭力分析
10.6.6　公司發展戰略
10.6.7　未來前景展望
10.7　株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1　企業發展概況
10.7.2　經營效益分析
10.7.3　業務經營分析
10.7.4　財務狀況分析
10.7.5　核心競爭力分析
10.7.6　公司發展戰略

11.1　行業投資背景
11.1.1　行業投資規模
11.1.2　投資市場周期
11.1.3　行業投資動態
11.1.4　行業投資前景
11.2　行業投融資情況
11.2.1　國際投資案例
11.2.2　國內投資案例
11.2.3　國際企業并購
11.2.4　國內企業并購
11.2.5　企業融資動態
11.3　行業投資壁壘
11.3.1　技術壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿易壁壘
11.4　行業投資風險
11.4.1　企業經營風險
11.4.2　技術迭代風險
11.4.3　行業競爭風險
11.4.4　產業政策變化風險
11.5　行業投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2　收購企業實現關鍵技術突破
11.5.3　關注新能源汽車催生需求
11.5.4　國內企業向IDM模式轉型
11.5.5　加強高校與科研院所合作
11.6　投資項目案例
11.6.1　項目基本概述
11.6.2　資金需求測算
11.6.3　經濟效益分析
11.6.4　項目投資必要性
11.6.5　項目投資可行性

12.1　第三代半導體未來發展趨勢
12.1.1　產業成本趨勢
12.1.2　未來發展趨勢
12.1.3　應用領域趨勢
12.2　第三代半導體未來發展前景
12.2.1　重要發展窗口期
12.2.2　產業應用前景
12.2.3　產業發展機遇
12.2.4　產業市場機遇
12.2.5　產業發展展望
12.3　2022-2027年中國第三代半導體行業預測分析
附錄
附錄一：新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策
附錄二：關于促進中關村順義園第三代半導體等前沿半導體產業創新發展的若干措施

圖表1　第三代半導體特點
圖表2　第三代半導體主要材料
圖表3　不同半導體材料性能比較（一）
圖表4　不同半導體材料性能比較（二）
圖表5　碳化硅、氮化鎵的性能優勢
圖表6　半導體材料發展歷程及現狀
圖表7　半導體材料頻率和功率特性對比
圖表8　第三代半導體產業演進示意圖
圖表9　第三代半導體產業鏈
圖表10　第三代半導體產業鏈
圖表11　第三代半導體襯底制備流程
圖表12　第三代半導體產業鏈全景圖譜
圖表13　第三代半導體健康的產業生態體系
圖表14　國際電工委員會（IEC）第三代半導體標準
圖表15　固態技術標準協會（JEDEC）第三代半導體標準
圖表16　國際部分汽車電子標準
圖表17　2018-2020年RF GaN HEMT和Si LDMOS平均價格
圖表18　1990-2020年國外SiC技術進展
圖表19　國際上已經商業化的SiC SBD的器件性能
圖表20　2020年國際企業新推出的SiC MOSFET產品
圖表21　國際已經商業化的SiC晶體管器件性能
圖表22　2020年國際企業新推出的SiC功率模塊產品
圖表23　國際上已經商業化的GaN電力電子器件性能
圖表24　國際上商業化的GaN射頻產品性能
圖表25　2020年國際企業推出的GaN射頻產品
圖表26　2020年國際主要第三代半導體企業布局情況（一）
圖表27　2020年國際主要第三代半導體企業布局情況（二）
圖表28　2020年主要第三代半導體企業合作動態
圖表29　美國下一代功率電子技術國家制造業創新中心組成成員（一）
圖表30　美國下一代功率電子技術國家制造業創新中心組成成員（二）
圖表31　2020年美國設立的部分第三代半導體相關研發項目
圖表32　日本下一代功率半導體封裝技術開發聯盟成員（一）
圖表33　日本下一代功率半導體封裝技術開發聯盟成員（二）
圖表34　2020年歐盟和英國設立的部分第三代半導體相關研發項目
圖表35　歐洲LAST POWER產學研項目成員
圖表36　《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》中第三代半導體相關內容
圖表37　2019-2021年國家層面第三代半導體支持政策匯總
圖表38　截至2021年地方層面第三代半導體行業相關政策匯總（一）
圖表39　截至2021年地方層面第三代半導體行業相關政策匯總（二）
圖表40　中國第三代半導體現行國家標準和行業標準
圖表41　CASA聯盟第三代半導體團體標準
圖表42　2020年GDP最終核實數與初步核算數對比
圖表43　2021年GDP初步核算數據
圖表44　2016-2020年全部工業增加值及其增長速度
圖表45　2020年主要工業產品產量及其增長速度
圖表46　2020-2021年規模以上工業增加值同比增長速度
圖表47　2016-2020年普通本專科、中等職業教育及普通高中招生人數
圖表48　2019年專利申請、授權和有效專利情況
圖表49　2016-2020年研究與試驗發展（R&D）經費支出及其增長速度
圖表50　2020年專利申請、授權和有效專利情況
圖表51　2016-2021年全國R&D經費及投入強度情況
圖表52　2016-2021年全國基礎研究經費及占R&D經費比重情況
圖表53　國內高校、研究所與企業的技術合作與轉化
圖表54　截至2021年底中國第三代半導體領域專利申請TOP10
圖表55　2002-2021年中國第三代半導體領域地區專利申請趨勢
圖表56　國家重點研發計劃2021年度第三代半導體項目申報情況（一）
圖表57　國家重點研發計劃2021年度第三代半導體項目申報情況（二）
圖表58　中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟發起單位
圖表59　第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
圖表60　全球推動第三代半導體產業和技術發展的國家計劃
圖表61　《中國制造2025》第三代半導體相關發展目標
圖表62　2019年中國主要企業SiC、GaN產能