2.1　全球第三代半導體產業運行狀況
2.1.1　標準制定情況
2.1.2　國際產業格局
2.1.3　市場發展規模
2.1.4　市場結構分析
2.1.5　新品研發情況
2.1.6　研發項目規劃
2.1.7　應用領域格局
2.1.8　企業發展動態
2.1.9　企業發展布局
2.1.10　企業競爭格局
2.2　美國
2.2.1　研發支出規模
2.2.2　產業技術優勢
2.2.3　技術創新中心
2.2.4　技術研發動向
2.2.5　戰略層面部署
2.3　日本
2.3.1　產業發展計劃
2.3.2　研究成果豐碩
2.3.3　封裝技術聯盟
2.3.4　照明領域狀況
2.3.5　研究領先進展
2.4　歐盟
2.4.1　研發項目歷程
2.4.2　產業發展基礎
2.4.3　前沿企業格局
2.4.4　未來發展熱點

3.1　政策環境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　重點支持政策解讀
3.1.4　中美貿易摩擦影響
3.2　經濟環境（Economic）
3.2.1　宏觀經濟概況
3.2.2　工業運行情況
3.2.3　經濟結構升級
3.2.4　未來經濟展望
3.3　社會環境（Social）
3.3.1　社會教育水平
3.3.2　知識專利水平
3.3.3　研發經費投入
3.3.4　技術人才儲備
3.4　技術環境（Technological）
3.4.1　專利技術構成
3.4.2　科技計劃專項
3.4.3　國際技術成熟
3.4.4　產業技術聯盟

4.1　中國第三代半導體產業發展特點
4.1.1　企業以IDM模式為主
4.1.2　制備工藝不追求頂尖
4.1.3　襯底和外延是關鍵環節
4.1.4　各國政府高度重視發展
4.1.5　軍事用途導致技術禁運
4.2　中國第三代半導體產業發展運行綜述
4.2.1　產業發展現狀
4.2.2　產業整體產值
4.2.3　產線產能規模
4.2.4　產業標準規范
4.2.5　國產替代狀況
4.3　中國第三代半導體市場運行狀況分析
4.3.1　市場發展規模
4.3.2　細分市場結構
4.3.3　市場應用分布
4.3.4　企業競爭格局
4.3.5　企業發展布局
4.3.6　產品發展動力
4.4　中國第三代半導體上游原材料市場發展分析
4.4.1　上游金屬硅產能釋放
4.4.2　上游金屬硅價格走勢
4.4.3　上游氧化鋅市場現狀
4.4.4　上游材料產業鏈布局
4.4.5　上游材料競爭狀況分析
4.5　中國第三代半導體產業發展問題分析
4.5.1　產業發展問題
4.5.2　市場推進難題
4.5.3　技術發展挑戰
4.5.4　材料發展挑戰
4.6　中國第三代半導體產業發展建議及對策
4.6.1　產業發展建議
4.6.2　建設發展聯盟
4.6.3　加強企業培育
4.6.4　集聚產業人才
4.6.5　推動應用示范
4.6.6　材料發展思路

5.1　GaN材料基本性質及制備工藝發展狀況
5.1.1　GaN產業鏈
5.1.2　GaN結構性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　技術專利發展
5.1.6　技術發展趨勢
5.2　GaN材料市場發展概況分析
5.2.1　市場發展規模
5.2.2　材料價格走勢
5.2.3　材料技術水平
5.2.4　應用市場結構
5.2.5　應用市場預測
5.2.6　市場競爭狀況
5.3　GaN器件及產品研發情況
5.3.1　器件產品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　器件產品研發
5.4　GaN器件應用領域及發展情況
5.4.1　電子電力器件應用
5.4.2　高頻功率器件應用
5.4.3　器件應用發展狀況
5.4.4　應用實現條件與對策
5.5　GaN器件發展面臨的挑戰
5.5.1　器件技術難題
5.5.2　電源技術瓶頸
5.5.3　風險控制建議

6.1　SiC材料基本性質與制備技術發展狀況
6.1.1　SiC性能特點
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產品類型
6.1.4　單晶技術專利
6.1.5　技術發展趨勢
6.2　SiC材料市場發展概況分析
6.2.1　材料價格走勢
6.2.2　材料市場規模
6.2.3　材料技術水平
6.2.4　市場應用結構
6.2.5　市場競爭格局
6.2.6　企業研發布局
6.3　SiC器件及產品研發情況
6.3.1　電力電子器件
6.3.2　功率模塊產品
6.3.3　器件產品研發
6.3.4　產品發展趨勢
6.4　SiC器件應用領域及發展情況
6.4.1　應用整體技術路線
6.4.2　電網應用技術路線
6.4.3　電力牽引應用技術路線
6.4.4　電動汽車應用技術路線
6.4.5　家用電器和消費類電子應用

7.1　Ⅲ族氮化物半導體材料發展分析
7.1.1　基礎概念介紹
7.1.2　材料結構性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產品
7.1.5　應用發展狀況
7.1.6　發展建議對策
7.2　寬禁帶氧化物半導體材料發展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結構性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應用器件
7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導體材料發展分析
7.3.1　材料結構性能
7.3.2　材料制備工藝
7.3.3　主要技術發展
7.3.4　器件應用發展
7.3.5　未來發展趨勢
7.4　金剛石半導體材料發展分析
7.4.1　材料結構性能
7.4.2　襯底制備工藝
7.4.3　主要器件產品
7.4.4　應用發展狀況
7.4.5　器件研發進展
7.4.6　未來發展前景

8.1　第三代半導體下游產業應用領域發展概況
8.1.1　下游應用產業分布
8.1.2　下游產業優勢特點
8.1.3　下游產業需求旺盛
8.2　電子電力領域發展狀況
8.2.1　全球市場發展規模
8.2.2　國內市場發展規模
8.2.3　國內器件應用分布
8.2.4　國內應用市場規模
8.2.5　器件廠商布局分析
8.2.6　器件產品價格走勢
8.3　微波射頻領域發展狀況
8.3.1　射頻器件市場規模
8.3.2　射頻器件市場結構
8.3.3　射頻器件市場需求
8.3.4　射頻器件價格走勢
8.3.5　國防基站應用規模
8.4　半導體照明領域發展狀況
8.4.1　發展政策支持
8.4.2　行業發展規模
8.4.3　產業鏈條產值
8.4.4　應用市場分布
8.4.5　照明技術突破
8.4.6　照明發展方向
8.4.7　行業發展展望
8.5　半導體激光器發展狀況
8.5.1　市場規模現狀
8.5.2　企業發展格局
8.5.3　應用研發現狀
8.5.4　主要技術分析
8.5.5　未來發展趨勢
8.6　5G新基建領域發展狀況
8.6.1　5G建設進程
8.6.2　應用市場規模
8.6.3　賦能射頻產業
8.6.4　應用發展方向
8.6.5　產業發展展望
8.7　新能源汽車領域發展狀況
8.7.1　行業市場規模
8.7.2　主要應用場景
8.7.3　應用市場規模
8.7.4　企業布局情況
8.7.5　市場需求預測

9.1　第三代半導體產業區域發展概況
9.1.1　產業區域分布
9.1.2　重點區域建設
9.2　京津翼地區第三代半導體產業發展分析
9.2.1　北京產業發展狀況
9.2.2　順義產業扶持政策
9.2.3　保定產業項目動態
9.2.4　應用聯合創新基地
9.2.5　區域未來發展趨勢
9.3　中西部地區第三代半導體產業發展分析
9.3.1　四川產業發展狀況
9.3.2　重慶相關領域態勢
9.3.3　陜西產業發展狀況
9.4　珠三角地區第三代半導體產業發展分析
9.4.1　廣東產業發展政策
9.4.2　廣州市產業支持
9.4.3　深圳產業發展狀況
9.4.4　東莞基地發展建設
9.4.5　區域未來發展趨勢
9.5　華東地區第三代半導體產業發展分析
9.5.1　江蘇產業發展概況
9.5.2　蘇州產業聯盟聚集
9.5.3　山東產業布局動態
9.5.4　福建產業發展狀況
9.5.5　區域未來發展趨勢
9.6　第三代半導體產業區域發展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補足SiC領域短板
9.6.3　開展關鍵技術研發
9.6.4　鼓勵地方加大投入

10.1　三安光電股份有限公司
10.1.1　企業發展概況
10.1.2　業務布局動態
10.1.3　經營效益分析
10.1.4　業務經營分析
10.1.5　財務狀況分析
10.1.6　核心競爭力分析
10.1.7　公司發展戰略
10.1.8　未來前景展望
10.2　北京賽微電子股份有限公司
10.2.1　企業發展概況
10.2.2　相關業務布局
10.2.3　經營效益分析
10.2.4　業務經營分析
10.2.5　財務狀況分析
10.2.6　核心競爭力分析
10.2.7　公司發展戰略
10.2.8　未來前景展望
10.3　華潤微電子有限公司
10.3.1　企業發展概況
10.3.2　經營效益分析
10.3.3　業務經營分析
10.3.4　財務狀況分析
10.3.5　核心競爭力分析
10.3.6　公司發展戰略
10.3.7　未來前景展望
10.4　湖北臺基半導體股份有限公司
10.4.1　企業發展概況
10.4.2　經營效益分析
10.4.3　業務經營分析
10.4.4　財務狀況分析
10.4.5　核心競爭力分析
10.4.6　公司發展戰略
10.4.7　未來前景展望
10.5　華燦光電股份有限公司
10.5.1　企業發展概況
10.5.2　經營效益分析
10.5.3　業務經營分析
10.5.4　財務狀況分析
10.5.5　核心競爭力分析
10.5.6　公司發展戰略
10.5.7　未來前景展望
10.6　聞泰科技股份有限公司
10.6.1　企業發展概況
10.6.2　經營效益分析
10.6.3　業務經營分析
10.6.4　財務狀況分析
10.6.5　核心競爭力分析
10.6.6　公司發展戰略
10.6.7　未來前景展望
10.7　株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1　企業發展概況
10.7.2　2018年企業經營狀況分析
10.7.3　2019年企業經營狀況分析
10.7.4　2020年企業經營狀況分析

11.1　行業投資背景
11.1.1　行業投資規模
11.1.2　投資項目分布
11.1.3　投資市場周期
11.1.4　行業投資前景
11.2　行業投融資情況
11.2.1　國際投資案例
11.2.2　國內投資案例
11.2.3　國際企業并購
11.2.4　國內企業并購
11.2.5　企業融資動態
11.3　行業投資壁壘
11.3.1　技術壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿易壁壘
11.4　行業投資風險
11.4.1　企業經營風險
11.4.2　技術迭代風險
11.4.3　行業競爭風險
11.4.4　產業政策變化風險
11.5　行業投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2　收購企業實現關鍵技術突破
11.5.3　關注新能源汽車催生需求
11.5.4　國內企業向IDM模式轉型
11.5.5　加強高校與科研院所合作
11.6　投資項目案例
11.6.1　項目基本概述
11.6.2　投資價值分析
11.6.3　建設內容規劃
11.6.4　資金需求測算
11.6.5　實施進度安排
11.6.6　經濟效益分析

12.1　第三代半導體未來發展趨勢
12.1.1　產業成本趨勢
12.1.2　未來發展趨勢
12.1.3　應用領域趨勢
12.2　第三代半導體未來發展前景
12.2.1　重要發展窗口期
12.2.2　產業應用前景
12.2.3　產業發展機遇
12.2.4　產業市場機遇
12.2.5　產業發展展望
12.3　 中國第三代半導體行業預測分析
附錄
附錄一：新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策
附錄二：關于促進中關村順義園第三代半導體等前沿半導體產業創新發展的若干措施

圖表1　不同半導體材料性能比較（一）
圖表2　不同半導體材料性能比較（二）
圖表3　碳化硅、氮化鎵的性能優勢
圖表4　半導體材料發展歷程及現狀
圖表5　第三代半導體產業演進示意圖
圖表6　第三代半導體產業鏈
圖表7　第三代半導體襯底制備流程
圖表8　第三代半導體產業鏈全景圖
圖表9　第三代半導體健康的產業生態體系
圖表10　全球第三代半導體材料市場規模與增長
圖表11　2018年全球第三代半導體材料市場結構
圖表12　全球在售SiC、GaN器件及模塊產品數量（款）
圖表13　2018年各國/組織第三代半導體領域研發項目（一）
圖表14　2018年各國/組織第三代半導體領域研發項目（二）
圖表15　2018年各國/組織第三代半導體領域研發項目（三）
圖表16　全球第三代半導體產業格局
圖表17　美國下一代功率電子技術國家制造業創新中心組成成員（一）
圖表18　美國下一代功率電子技術國家制造業創新中心組成成員（二）
圖表19　日本下一代功率半導體封裝技術開發聯盟成員（一）
圖表20　日本下一代功率半導體封裝技術開發聯盟成員（二）
圖表21　歐洲LAST POWER產學研項目成員
圖表22　“十三五”期間中國第三代半導體支持政策匯總（一）
圖表23　“十三五”期間中國第三代半導體支持政策匯總（二）
圖表24　2018年地方政府第三代半導體產業支持政策匯總（一）
圖表25　2018年地方政府第三代半導體產業支持政策匯總（二）
圖表26　2019年地方政府第三代半導體產業支持政策匯總（一）
圖表27　2019年地方政府第三代半導體產業支持政策匯總（二）
圖表28　《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2019版）》中第三代半導體相關內容
圖表29　《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》中第三代半導體相關內容
圖表30　2019年中國GDP初步核算數據
圖表31　國內生產總值及增速
圖表32　三次產業增加值占國內生產總值比重
圖表33　2020年GDP初步核算數據
圖表34　2019年主要工業產品產量及其增長速度
圖表35　全部工業增加值及其增長速度
圖表36　2020年主要工業產品產量及其增長速度
圖表37　普通本專科、中等職業教育及普通高中招生人數
圖表38　2019年專利申請、授權和有效專利情況
圖表39　研究與試驗發展（R&D）經費支出及其增長速度
圖表40　2020年專利申請、授權和有效專利情況
圖表41　國內高校、研究所與企業的技術合作與轉化
圖表42　2019年第三代半導體領域全球專利技術構成
圖表43　2018年度國家重點研發計劃重點專項
圖表44　2019年正在實施的第三代半導體國家重點研發計劃重點專項
圖表45　中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟發起單位
圖表46　第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
圖表47　全球推動第三代半導體產業和技術發展的國家計劃
圖表48　《中國制造2025》第三代半導體相關發展目標
圖表49　中方收購國外半導體企業情況
圖表50　中國GaN微波射頻產業產值及增速
圖表51　中國SiC、GaN電力電子產業產值及增速
圖表52　2019年中國主要企業SiC、GaN產能
圖表53　第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準列表
圖表54　中國第三代半導體襯底材料市場規模與增長
圖表55　2019年中國第三代半導體襯底材料市場結構
圖表56　2019年中國SiC、GaN電力電子器件市場應用領域分布
圖表57　襯底研發重點企業盤點
圖表58　國內部分涉及第三代半導體上市公司的產業布局情況（一）
圖表59　國內部分涉及第三代半導體上市公司的產業布局情況（二）
圖表60　中國金屬硅產量統計
圖表61　中國金屬硅表觀消費量統計
圖表62　金屬硅價格走勢情況
圖表63　氮化鎵產業鏈主要的國際競爭廠商（一）