中商情報網訊：半導體材料是半導體產業鏈上游中的重要組成部分，在集成電路、分立器件等半導體產品生產制造中起到關鍵性的作用。目前全球的半導體產業鏈正向中國大陸轉移，中國晶圓廠擴產的步伐已逐漸加快。伴隨著國內晶圓廠的投產，將產生更多半導體材料的需求，市場需求空間已被打開。
一、產業鏈
資料來源：中商產業研究院整理
二、上游分析
半導體材料是產業鏈上游環節中非常重要的一環，主要分為基體材料、晶圓制造材料、封裝材料和關鍵元器件材料。半導體行業經過近六十年的發展，半導體材料經歷了三次明顯的換代和發展。相比于第一、二代半導體，第三代半導體基體材料具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率，在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩代半導體材料。
1.碳化硅
近年來，以碳化硅為代表的第三代半導體材料在禁帶寬度、擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導率以及抗輻射等關鍵參數方面具有顯著優勢，進一步滿足了現代工業對高功率、高電壓、高頻率的需求。以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率器件具有優越的電氣性能，具體如下：
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2.氮化鎵
在第三代半導體材料產業鏈制造以及應用環節上，SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能電網、新能源汽車等行業。與硅元器件相比，GaN具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，是超高頻器件的極佳選擇，適用于5G通信、微波射頻等領域的應用。
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