光刻機（MaskAligner)又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫MaskAlignmentSystem。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。光刻設備從光源（從最初的g-Line、i-Line發展到極紫外EUV）、曝光方式（從接觸式到步進式，從干式投影到浸沒式投影）不斷進行著改進。目前光刻機主要可以分為主流IC前道制造光刻機、IC后道先進封裝光刻機、LED/MEMS/Power Devices制造用光刻機以及面板光刻機。ASML、佳能以及尼康是光刻機主要供應商，其中ASML在高端市場一家獨大并且壟斷EUV光刻機。從光刻機總體出貨量來看(含非IC前道光刻機)，目前全球光刻機出貨量99%集中在ASML、尼康和佳能。其中ASML份額最高，達到67.3%,且壟斷了高端EUV光刻機市場。ASML技術先進離不開高投入,其研發費用率始終維持在15%-20%，遠高于Nikon和Canon。上海微電子是國內光刻機領軍者，其IC前道光刻機可以實現90nm制程，未來有望逐步實現技術突破。受益于下游需求旺盛，光刻設備有望量價齊升帶動市場空間不斷增長。價：隨著芯片制程的不斷升級，IC前道光刻機制造日益復雜，其價格不斷攀升。先進制程發展使得晶體管成本降低，但是光刻機價格不斷增高。目前7nm EUV光刻機平均每臺價格達到了1.2億歐元。量：晶圓尺寸變大和制程縮小將使產線所需的設備數量加大，性能要求變高。12寸晶圓產線中所需的光刻機數量相較于8寸晶圓產線將進一步上升。同時預計2020年隨著半導體產線得到持續擴產，光刻機需求也將進一步加大。

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