砷化鎵(gallium arsenide)是一種重要的半導體材料,化學式GaAs,屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下,能在空氣中穩定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。屬閃鋅礦型晶格結構,晶格常數5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵材料的應用領域主要分為微電子領域和光電子領域。而生產GaAs的原材料主要有Ga(鎵)、As(砷)、Al2O3(氧化鋁)、B2O3(氧化硼);其中,Ga(鎵)是最為可貴的原材料。砷化鎵廣泛運用于高頻及無線通訊(主要為超過1G Hz以上的頻率),適于制做IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件,通常應用于激光器、無線通信、光纖通信、移動通信、GPS全球導航等領域。砷化鎵除在IC產品應用以外,也可加入其它元素改變能帶隙及其產生光電反應,達到所對應的光波波長,制作成光電元件。4G時代砷化鎵PA需求強勁,全球供不應求。4G手機需支持將近40個網絡頻段,隨著終端支持頻段數的增加,砷化鎵PA需求數量也將從3G時代的1-2顆增長為4-5顆,4G手機的普及和單手機PA數量的增加將共同造就砷化鎵的強勁需求,目前全球范圍來看,砷化鎵持續處于供不應求狀態。近年來,我國GaAs產量總體而言呈現出較快增長的態勢;強大的無線通信需求使砷化鎵產量和銷售不斷增長。2015年,我國GaAs產量達到624噸,同比增長25.12%。2015年,我國GaAs銷量達543噸,同比增長25.25%,銷售額達到18.4億元。未來幾年,隨著我國光電通信等行業繼續大力發展。GaAs行業的市場需求潛力依然較大。預測到2021年,我國GaAs市場銷售額將接近65.1億元。
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