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砷化鎵(gallium arsenide)是一種重要的半導體材料,化學式GaAs,屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下,能在空氣中穩定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。屬閃鋅礦型晶格結構,晶格常數第六節5×10-10m,禁帶寬度第四節電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。
砷化鎵材料的應用領域主要分為微電子領域和光電子領域。而生產GaAs的原材料主要有Ga(鎵)、As(砷)、Al2O3(氧化鋁)、B2O3(氧化硼);其中,Ga(鎵)是最為可貴的原材料。
砷化鎵廣泛運用于高頻及無線通訊(主要為超過1G H z以上的頻率).適于制做IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件,通常應用于激光器、無線通信、光纖通信、移動通信、GPS 全球導航等領域。砷化鎵除在IC產品應用以外,也可加入其它元素改變能帶隙及其產生光電反應,達到所對應的光波波長,制作成光電元件。
早在2007年,發光二極管就占據砷化鎵大塊墊底市場需求39%的最大份額。到2012年光電市場的終端需求的年平均復合增長率(CAAGR)由20%左右增長到79%左右。2013年,全球半絕緣砷化鎵的需求量增長不到1%。盡管需求量有所增長,收入還是比2012年減少了5%。
近年來,我國GaAs產量總體而言呈現出較快增長的態勢;不過近兩年來,由于替代品的競爭,產量增長速度有所減緩。2013年,我國GaAs產量達到415噸,同比增長#01%。2013,我國GaAs銷量達360噸,同比增長第三十四節%,銷售額達到12億元。
未來幾年,隨著我國光電通信等行業繼續大力發展。GaAs行業的市場需求潛力依然較大。預測到2018年,我國GaAs市場銷售額將接近19億元。
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