中商情報網訊：中國存儲芯片產業正經歷全棧技術攻堅與產能擴張雙輪驅動階段。3D NAND層數突破（200+層）、DRAM制程躍進（17nm量產）、HBM封裝（2.5D/3D集成）構成技術升級主線，設備材料國產化率從不足10%提升至25%。市場需求端，智能汽車（車載存儲年復合增速35%）、AI算力（HBM需求2025年達150億美元）、信創替代（金融/政務SSD招標國產化率超70%）形成增長三角。產業鏈協同效應凸顯，從前驅體材料（高k介質）、刻蝕設備（5nm精度）到封測（TSV/HBM）實現垂直打通。挑戰集中于知識產權壁壘（DDR5專利交叉授權）、設備禁運（EUV光刻機限制）及周期波動（NAND價格年降15%）。政策層面，大基金三期2500億元注資重點支持存儲全產業鏈，目標2027年實現存儲芯片自給率40%以上。
資料來源：中商產業研究院整理
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