中商情報網訊：碳化硅襯底具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高、電子飽和漂移速率高等特點，可有效突破傳統硅基半導體器件及其材料的物理極限，開發出更適應高壓、高溫、高功率、高頻等條件的新一代半導體器件。中商產業研究院發布的《2024-2029年中國碳化硅襯底行業市場前景預測與發展趨勢研究報告》顯示，2023年全球導電型和半絕緣型碳化硅襯底的市場規模分別達到6.84億美元和2.81億美元。中商產業研究院分析師預測，2024年全球市場規模將分別達到9.07億美元和3.26億美元。
數據來源：Yole、中商產業研究院整理
碳化硅襯底的尺寸主要有2英寸（50mm）、3英寸（75mm）、4英寸（100mm）、6英寸（150mm）、8英寸（200mm）等規格，碳化硅襯底正不斷向大尺寸的方向發展，目前行業內企業主要量產產品尺寸集中在4英寸及6英寸，8英寸處于研發階段。碳化硅襯底材料制備具有極高的技術門檻，目前全球能夠規模化供應高品質、車規級碳化硅襯底的企業數量較少。國內廠商中，天岳先進前作為國內碳化硅襯底領軍者，在8英寸襯底層面取得顯著進展和成果，其用液相法制備的無宏觀缺陷的8英寸襯底是業內首創。
資料來源：中商產業研究院整理
更多資料請參考中商產業研究院發布的《中國碳化硅襯底行業市場前景及投資機會研究報告》，同時中商產業研究院還提供產業大數據、產業情報、行業研究報告、行業白皮書、行業地位證明、可行性研究報告、產業規劃、產業鏈招商圖譜、產業招商指引、產業鏈招商考察&推介會、“十五五”規劃等咨詢服務。
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