中商情報網訊：碳化硅（SiC）是第三代半導體材料，具備極好的耐壓性、導熱性和耐熱性，是制造功率器件、大功率射頻器件的突破性材料。隨著新能源汽車賽道爆發，碳化硅市場進入蓬勃發展階段。碳化硅作為目前半導體產業最熱門的賽道之一，吸引了眾多半導體大廠以及初創新銳力量參與其中。
一、碳化硅行業發展現狀
1.碳化硅功率器件
半導體材料目前已經發展至第三代，第三代半導體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表，高功率、高頻高壓高溫場景優勢明顯。第三代半導體經典的應用是碳化硅。碳化硅功率器件又稱電力電子器件，主要應用于電力設備電能變換和控制電路方面的大功率電子器件，有功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。
隨著技術突破和成本的下降，SiC器件預計在不遠的將來會大規模的應用于各個領域。根據數據，從2018年到2021年，碳化硅功率器件市場規模從4億美元增長到9.3億美元，復合增速約32.4%。中商產業研究院預測，2022年碳化硅功率器件市場規模約10.9億美元。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展，碳化硅器件市場規模增速可觀。
數據來源：Yole、中商產業研究院整理
2.碳化硅功率半導體
與硅基半導體材料相比，以碳化硅為代表的第三代半導體材料具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導率、高抗輻射能力等特點，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。根據Omdia統計，2019年全球SiC功率半導體市場規模為8.9億美元，受益于新能源汽車及光伏領域需求量的高速增長，2020年約為11.2億美元。預計2024年全球SiC功率半導體市場規模預計將達26.6億美元，年均復合增長率達到24.5%。
數據來源：Omdia、中商產業研究院整理
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2015-2019年中國碳化硅行業研究報告
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