第三代半導體材料發展規劃分析:6英寸晶片將成為主流(圖)
來源:中商產業研究院 發布日期:2021-12-09 14:01
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中商情報網訊:半導體襯底材料包括硅材料和砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導體材料。硅是目前技術最成熟、使用范圍最廣、市場占比最大的襯底材料,近年來隨著材料制備技術與下游應用市場的成熟,以碳化硅為代表的第三代半導體襯底材料市場規模持續擴大。

市場規模

碳化硅器件正在廣泛地被應用在電力電子領域中,典型市場包括軌交、功率因數校正電源、風電、光伏、新能源汽車充電樁、不間斷電源等。2018-2019年,受新能源汽車、工業電源等應用的推動,全球電力電子碳化硅的市場規模從4.3億美元增長至5.64億美元,中商產業研究院預測未來市場仍將因新能源汽車產業的發展而增長,預計2021年的市場規模將達7億美元。

數據來源:中商產業研究院整理

市場競爭格局

從全球碳化硅襯底的企業經營情況來看,以導電性碳化硅晶片廠商市場占有率為參考,美國CREE公司占龍頭地位,市場份額達62%,其次是美國II-VI公司,市場份額約為16%。總體來看,在碳化硅市場中,美國廠商占據主要地位。我國碳化硅晶體、晶片領域的研究從20世紀90年代末開始起步,在行業發展初期受到技術水平和產能規模的限制,未進入工業化生產。進入21世紀,以天科合達為代表的國內企業開始探索碳化硅單晶片的工業化生產,經過10余年的持續研發與探索,掌握了2-6英寸的碳化硅晶體生長和晶片加工的關鍵技術。

數據來源:Yole Development、中商產業研究院整理

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