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湖北：湖北省集成電路產業發展行動方案
為貫徹落實國務院《國家集成電路產業發展推進綱要》(國發〔2014〕4號)，促進我省集成電路產業加快發展，特制定本行動方案。
一、重大意義
集成電路產業是信息技術產業的核心，已成為支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產業。隨著云計算、物聯網、大數據等新業態快速發展，特別是移動智能終端及芯片呈爆發式增長，我國已成為全球最大的集成電路市場，市場需求將繼續保持快速增長，當前和今后一個時期是我國集成電路產業發展的重要戰略機遇期和攻堅期。經過多年的培育和發展，我省集成電路產業已具備一定的產業基礎，形成了一批有實力的企業和有競爭力的特色芯片，武漢新芯12英寸45納米存儲芯片生產線，技術國內一流。但是，我省集成電路產業仍存在持續創新能力弱、產業鏈不完整、與市場需求對接不夠等突出問題。因此，大力推進全省集成電路產業跨越式發展，對于加速培育戰略性新興產業、促進工業轉型升級、保障國家信息安全等具有重大意義。
二、總體要求
（一）發展思路。
緊緊抓住國家將湖北武漢列為國內集成電路產業集聚區的歷史性機遇，以深化改革為動力，以市場需求為導向，以產業創新為支撐，著力構建完整產業鏈，推動芯片設計業領先發展、芯片制造業跨越發展、封裝測試與材料業配套發展，著力強化產業載體建設，著力培育龍頭骨干企業，著力發展一批有競爭力的特色芯片，優化發展環境，集聚要素資源，努力把湖北打造成為全國集成電路自主創新的技術高地和重要產業集聚區。
（二）主要目標。
產業規模快速擴張。到2017年，我省集成電路產業主營業務收入力爭達到400億元。培育過100億企業1-2家，過10億元企業15-20家，過億元企業50家以上。到2020年，全省集成電路產業規模超過1000億元。
創新能力顯著提升。企業創新研發投入占銷售收入比重達到10%。建設一批以企業為主體的研發中心和產業技術創新戰略聯盟，自主研發和引進消化吸收一批關鍵核心技術，專利和芯片版圖著作權申請數量年均增長30%以上。創建國家示范性微電子學院，培養滿足產業發展需要的高素質人才隊伍。
集聚效應加快形成。高標準推進武漢光谷集成電路產業園、宜昌磁電子產業園建設，構建配套設施齊全、服務功能完善、產業鏈相對完整、規模效應明顯的產業集聚區。
支撐作用明顯增強。力爭到2017年，12英寸芯片總產能達到7萬片/月，各類特色芯片總產能達到150萬片/月，提升產業核心競爭力，為全省電子信息產業發展提供重要支撐。
三、主要任務。
大力實施武漢新芯躍升工程，促進企業轉型升級，突破核心技術，提升創新能力，發展自主品牌產品，努力形成以芯片設計為引領、芯片制造為支撐、封裝測試與材料為配套的較為完整的集成電路產業鏈。圍繞我省光通信、光顯示、紅外傳感、北斗導航等特色優勢領域，以整機應用和信息消費需求為牽引，推動整機與芯片聯動、硬件與軟件結合、產品與服務融合發展，開發生產一批量大面廣的特色芯片。
（一）芯片設計業領先發展。
發展目標：到2017年，全省芯片設計業主營業務收入達到100億元。
發展重點：圍繞特色優勢領域，強化集成電路設計、軟件開發、系統集成、內容與服務協同創新，開發一批產業發展急需的核心芯片，以設計業的快速增長帶動制造業的發展。1支持武漢新芯發展集成器件制造(IDM)模式，大力開發微控制器（MCU）、三維數據型閃存（3D NAND）等產品。2北斗導航重點開發國際領先的北斗/GPS多模亞米級定位芯片，研發北斗與應用處理器或傳感器結合的集成芯片，并加快芯片推廣應用。3光通信重點開發超高速、高集成度光通信芯片、有源光纜關鍵芯片和無線收發芯片。4光顯示重點開發控制器、圖形圖像處理器與引擎、數字音視頻等芯片。5傳感器重點開發微機電系統（MEMS）傳感器、射頻識別（RFID）、磁電子及其信息感知器件等芯片。6信息安全重點開發安全存儲、加密解密、安全IC卡等信息安全專用芯片。7汽車電子重點開發汽車音視頻/信息終端芯片、近場通信（NFC）芯片等。
（二）芯片制造業跨越發展。
發展目標：到2017年，全省芯片制造業主營業務收入達到150億元。
發展重點：積極推動12英寸生產線改造升級、產能擴張、規模發展，兼顧6英寸、8英寸等特色工藝生產線建設，滿足不同層次的需求，推動芯片制造業做大做強。1積極實施武漢新芯躍升工程，努力將武漢新芯建設成為國內最大、世界一流的存儲器研發制造基地。2加快發展光通信用光電子芯片、器件、光收發模塊等核心產品，形成產業化基地，服務全球頂級系統設備制造商。3推進微機電系統（MEMS）8英寸025微米特色工藝生產線建設。大力發展以汽車、通訊、醫療等為重點服務領域的具有自主知識產權的MEMS技術和產品。4規模化發展發光二極管(LED)芯片，進一步提高市場占有率。大力引進8寸硅(Si)基氮化鎵發光二極管(GaN LED)照明芯片技術和生產線，加快形成整合LED照明、驅動等技術的光電聯動芯片制造能力和特色。5加強自旋傳感器芯片生產線建設，加快推進自旋傳感器芯片、自旋存儲器芯片產業化。6加強大功率半導體模塊生產，推動產品向集成化、功率化、模塊化和智能化方向發展。
武漢新芯躍升工程
發展思路：堅持市場牽引、創新驅動、大投入、大發展，近四年內，預計投入150億元，推動企業向IDM轉型，形成IDM和代工并重發展格局，將武漢新芯發展成為國內最大的存儲器研發和生產基地。
發展目標：力爭到2017年，12英寸芯片月產能達到7萬片，銷售收入達到100億元；聚集一批設計公司和與之相配套的封裝測試企業，基本建成以武漢新芯為核心的集成電路設計、制造、封裝及應用的完整產業鏈。
發展重點：一是提升現有產品工藝技術和產能。持續推進代碼型閃存工藝技術演進，鞏固現有12萬片/月代碼型閃存的生產能力；加快背照式圖像傳感器堆疊式立體集成技術研發和產業化，力爭2017年產品產能達到2萬片/月，成為世界領先的影像傳感器研發制造基地。二是增強邏輯芯片代工服務能力。重點開發微控制器（MCU）工藝技術并實現量產；積極開拓市場需求量大、產品附加值高的應用于智能終端、工業控制等高端MCU芯片；合作研發先進邏輯工藝技術，為本地IC設計企業提供圖像處理、北斗導航等特色邏輯芯片代工服務，促進本地集成電路產業鏈企業良性互動和快速發展，2017年產品產能達到1萬片/月。三是大力發展IDM模式。以存儲器為主要目標市場，著力開發生產面向計算機、消費電子及大數據存儲所需的高性能、低功耗、大容量的3D NAND，為我國信息和網絡設施提供高水平、高質量、安全可靠的產品與技術，力爭2017年產品產能達到3萬片/月。
（三）封裝測試與材料業配套發展。
發展目標：到2017年，全省封裝測試與材料業主營業務收入達到150億元。
發展重點：著力構建完整產業鏈，積極引進和培育封裝測試與材料企業，完善產業生態環境。1以武漢新芯為龍頭，吸引和集聚一批封裝測試與材料企業，增強產業配套能力，到2017年基本實現本地化配套封裝。2鞏固發展高速光器件、LED芯片封裝產業，支持龍頭骨干企業開展兼并重組，進一步做大做強。3加快推進顯示芯片測試、檢測、封裝等生產線建設。4加快發展硅片、封裝膠等集成電路配套材料，加強引線框架、合金鍵合線等關鍵材料的研發與產業化。
四、保障措施
（一）加強組織領導。
成立湖北省集成電路產業發展領導小組，由省政府領導擔任組長，各相關部門和單位為成員，組織制定產業發展規劃，協調產業發展中的重大問題，落實各項相關政策等。領導小組下設辦公室，負責領導小組的日常工作，辦公室設在省經信委，形成各部門協同推進集成電路產業發展的良好局面。成立由信息技術等相關領域專家組成的湖北省集成電路產業發展專家咨詢委員會，為我省集成電路產業發展的政策措施提供智力保障和咨詢建議。
（二）加大投資力度。
設立湖北集成電路產業投資基金（以下簡稱基金）。以政府財政資金為引導，發揮財政資金杠桿作用，吸引大型國有企業、金融機構以及社會資金，重點支持湖北集成電路產業發展，促進工業轉型升級。基金實行市場化運作，重點支持集成電路制造領域，兼顧集成電路設計、封裝測試、裝備材料等環節，并注重投資效益，爭取國家持續支持。同時，匯聚各類產業發展要素，支持集成電路企業引進戰略投資者，鼓勵集成電路企業積極爭取銀行等金融機構信貸支持。
（三）落實扶持政策。
將集成電路產業作為優先發展的戰略性新興行業予以積極扶持，形成有利于產業發展的政策驅動和保障機制。進一步加大力度貫徹落實《國務院關于印發進一步鼓勵軟件和集成電路產業發展若干政策的通知》（國發〔2011〕4號），落實支持集成電路封裝、測試、專用材料企業所得稅優惠政策。繼續實施集成電路重大技術裝備和產品關鍵零部件及原材料進口免稅政策。強化省級財政專項資金的引導作用，加大對集成電路產業的扶持力度。加強產業載體建設，在土地、人才、資金等政策方面向園區傾斜，引導重點企業和新建項目向園區集聚。
（四）提高創新能力。
依托骨干企業，推動形成產業鏈上下游協同創新體系，支持建立“產、學、研、用”一體化產業聯盟。鼓勵企業成立集成電路技術研究中心和技術創新戰略聯盟，聯合科研院所、高校開展共性關鍵技術研發，增強產業可持續發展能力。加強實用人才隊伍建設，鼓勵并支持有條件的高校與企業合作建立國家示范性微電子學院，加快培養培訓集成電路領域高層次科技研發人才和實用技術人才。在“千人計劃”、“百人計劃”中進一步加大引進集成電路領域優秀人才的支持力度，研究出臺針對優秀企業家和高素質技術、管理團隊的優先引進政策。支持企業通過并購或入股國內外企業等方式，獲取技術來源。鼓勵國內外企業在我省建設研發中心或生產中心等，積極承接國際國內高端產業轉移。
一、重大意義
集成電路產業是信息技術產業的核心，已成為支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產業。隨著云計算、物聯網、大數據等新業態快速發展，特別是移動智能終端及芯片呈爆發式增長，我國已成為全球最大的集成電路市場，市場需求將繼續保持快速增長，當前和今后一個時期是我國集成電路產業發展的重要戰略機遇期和攻堅期。經過多年的培育和發展，我省集成電路產業已具備一定的產業基礎，形成了一批有實力的企業和有競爭力的特色芯片，武漢新芯12英寸45納米存儲芯片生產線，技術國內一流。但是，我省集成電路產業仍存在持續創新能力弱、產業鏈不完整、與市場需求對接不夠等突出問題。因此，大力推進全省集成電路產業跨越式發展，對于加速培育戰略性新興產業、促進工業轉型升級、保障國家信息安全等具有重大意義。
二、總體要求
（一）發展思路。
緊緊抓住國家將湖北武漢列為國內集成電路產業集聚區的歷史性機遇，以深化改革為動力，以市場需求為導向，以產業創新為支撐，著力構建完整產業鏈，推動芯片設計業領先發展、芯片制造業跨越發展、封裝測試與材料業配套發展，著力強化產業載體建設，著力培育龍頭骨干企業，著力發展一批有競爭力的特色芯片，優化發展環境，集聚要素資源，努力把湖北打造成為全國集成電路自主創新的技術高地和重要產業集聚區。
（二）主要目標。
產業規模快速擴張。到2017年，我省集成電路產業主營業務收入力爭達到400億元。培育過100億企業1-2家，過10億元企業15-20家，過億元企業50家以上。到2020年，全省集成電路產業規模超過1000億元。
創新能力顯著提升。企業創新研發投入占銷售收入比重達到10%。建設一批以企業為主體的研發中心和產業技術創新戰略聯盟，自主研發和引進消化吸收一批關鍵核心技術，專利和芯片版圖著作權申請數量年均增長30%以上。創建國家示范性微電子學院，培養滿足產業發展需要的高素質人才隊伍。
集聚效應加快形成。高標準推進武漢光谷集成電路產業園、宜昌磁電子產業園建設，構建配套設施齊全、服務功能完善、產業鏈相對完整、規模效應明顯的產業集聚區。
支撐作用明顯增強。力爭到2017年，12英寸芯片總產能達到7萬片/月，各類特色芯片總產能達到150萬片/月，提升產業核心競爭力，為全省電子信息產業發展提供重要支撐。
三、主要任務。
大力實施武漢新芯躍升工程，促進企業轉型升級，突破核心技術，提升創新能力，發展自主品牌產品，努力形成以芯片設計為引領、芯片制造為支撐、封裝測試與材料為配套的較為完整的集成電路產業鏈。圍繞我省光通信、光顯示、紅外傳感、北斗導航等特色優勢領域，以整機應用和信息消費需求為牽引，推動整機與芯片聯動、硬件與軟件結合、產品與服務融合發展，開發生產一批量大面廣的特色芯片。
（一）芯片設計業領先發展。
發展目標：到2017年，全省芯片設計業主營業務收入達到100億元。
發展重點：圍繞特色優勢領域，強化集成電路設計、軟件開發、系統集成、內容與服務協同創新，開發一批產業發展急需的核心芯片，以設計業的快速增長帶動制造業的發展。1支持武漢新芯發展集成器件制造(IDM)模式，大力開發微控制器（MCU）、三維數據型閃存（3D NAND）等產品。2北斗導航重點開發國際領先的北斗/GPS多模亞米級定位芯片，研發北斗與應用處理器或傳感器結合的集成芯片，并加快芯片推廣應用。3光通信重點開發超高速、高集成度光通信芯片、有源光纜關鍵芯片和無線收發芯片。4光顯示重點開發控制器、圖形圖像處理器與引擎、數字音視頻等芯片。5傳感器重點開發微機電系統（MEMS）傳感器、射頻識別（RFID）、磁電子及其信息感知器件等芯片。6信息安全重點開發安全存儲、加密解密、安全IC卡等信息安全專用芯片。7汽車電子重點開發汽車音視頻/信息終端芯片、近場通信（NFC）芯片等。
（二）芯片制造業跨越發展。
發展目標：到2017年，全省芯片制造業主營業務收入達到150億元。
發展重點：積極推動12英寸生產線改造升級、產能擴張、規模發展，兼顧6英寸、8英寸等特色工藝生產線建設，滿足不同層次的需求，推動芯片制造業做大做強。1積極實施武漢新芯躍升工程，努力將武漢新芯建設成為國內最大、世界一流的存儲器研發制造基地。2加快發展光通信用光電子芯片、器件、光收發模塊等核心產品，形成產業化基地，服務全球頂級系統設備制造商。3推進微機電系統（MEMS）8英寸025微米特色工藝生產線建設。大力發展以汽車、通訊、醫療等為重點服務領域的具有自主知識產權的MEMS技術和產品。4規模化發展發光二極管(LED)芯片，進一步提高市場占有率。大力引進8寸硅(Si)基氮化鎵發光二極管(GaN LED)照明芯片技術和生產線，加快形成整合LED照明、驅動等技術的光電聯動芯片制造能力和特色。5加強自旋傳感器芯片生產線建設，加快推進自旋傳感器芯片、自旋存儲器芯片產業化。6加強大功率半導體模塊生產，推動產品向集成化、功率化、模塊化和智能化方向發展。
武漢新芯躍升工程
發展思路：堅持市場牽引、創新驅動、大投入、大發展，近四年內，預計投入150億元，推動企業向IDM轉型，形成IDM和代工并重發展格局，將武漢新芯發展成為國內最大的存儲器研發和生產基地。
發展目標：力爭到2017年，12英寸芯片月產能達到7萬片，銷售收入達到100億元；聚集一批設計公司和與之相配套的封裝測試企業，基本建成以武漢新芯為核心的集成電路設計、制造、封裝及應用的完整產業鏈。
發展重點：一是提升現有產品工藝技術和產能。持續推進代碼型閃存工藝技術演進，鞏固現有12萬片/月代碼型閃存的生產能力；加快背照式圖像傳感器堆疊式立體集成技術研發和產業化，力爭2017年產品產能達到2萬片/月，成為世界領先的影像傳感器研發制造基地。二是增強邏輯芯片代工服務能力。重點開發微控制器（MCU）工藝技術并實現量產；積極開拓市場需求量大、產品附加值高的應用于智能終端、工業控制等高端MCU芯片；合作研發先進邏輯工藝技術，為本地IC設計企業提供圖像處理、北斗導航等特色邏輯芯片代工服務，促進本地集成電路產業鏈企業良性互動和快速發展，2017年產品產能達到1萬片/月。三是大力發展IDM模式。以存儲器為主要目標市場，著力開發生產面向計算機、消費電子及大數據存儲所需的高性能、低功耗、大容量的3D NAND，為我國信息和網絡設施提供高水平、高質量、安全可靠的產品與技術，力爭2017年產品產能達到3萬片/月。
（三）封裝測試與材料業配套發展。
發展目標：到2017年，全省封裝測試與材料業主營業務收入達到150億元。
發展重點：著力構建完整產業鏈，積極引進和培育封裝測試與材料企業，完善產業生態環境。1以武漢新芯為龍頭，吸引和集聚一批封裝測試與材料企業，增強產業配套能力，到2017年基本實現本地化配套封裝。2鞏固發展高速光器件、LED芯片封裝產業，支持龍頭骨干企業開展兼并重組，進一步做大做強。3加快推進顯示芯片測試、檢測、封裝等生產線建設。4加快發展硅片、封裝膠等集成電路配套材料，加強引線框架、合金鍵合線等關鍵材料的研發與產業化。
四、保障措施
（一）加強組織領導。
成立湖北省集成電路產業發展領導小組，由省政府領導擔任組長，各相關部門和單位為成員，組織制定產業發展規劃，協調產業發展中的重大問題，落實各項相關政策等。領導小組下設辦公室，負責領導小組的日常工作，辦公室設在省經信委，形成各部門協同推進集成電路產業發展的良好局面。成立由信息技術等相關領域專家組成的湖北省集成電路產業發展專家咨詢委員會，為我省集成電路產業發展的政策措施提供智力保障和咨詢建議。
（二）加大投資力度。
設立湖北集成電路產業投資基金（以下簡稱基金）。以政府財政資金為引導，發揮財政資金杠桿作用，吸引大型國有企業、金融機構以及社會資金，重點支持湖北集成電路產業發展，促進工業轉型升級。基金實行市場化運作，重點支持集成電路制造領域，兼顧集成電路設計、封裝測試、裝備材料等環節，并注重投資效益，爭取國家持續支持。同時，匯聚各類產業發展要素，支持集成電路企業引進戰略投資者，鼓勵集成電路企業積極爭取銀行等金融機構信貸支持。
（三）落實扶持政策。
將集成電路產業作為優先發展的戰略性新興行業予以積極扶持，形成有利于產業發展的政策驅動和保障機制。進一步加大力度貫徹落實《國務院關于印發進一步鼓勵軟件和集成電路產業發展若干政策的通知》（國發〔2011〕4號），落實支持集成電路封裝、測試、專用材料企業所得稅優惠政策。繼續實施集成電路重大技術裝備和產品關鍵零部件及原材料進口免稅政策。強化省級財政專項資金的引導作用，加大對集成電路產業的扶持力度。加強產業載體建設，在土地、人才、資金等政策方面向園區傾斜，引導重點企業和新建項目向園區集聚。
（四）提高創新能力。
依托骨干企業，推動形成產業鏈上下游協同創新體系，支持建立“產、學、研、用”一體化產業聯盟。鼓勵企業成立集成電路技術研究中心和技術創新戰略聯盟，聯合科研院所、高校開展共性關鍵技術研發，增強產業可持續發展能力。加強實用人才隊伍建設，鼓勵并支持有條件的高校與企業合作建立國家示范性微電子學院，加快培養培訓集成電路領域高層次科技研發人才和實用技術人才。在“千人計劃”、“百人計劃”中進一步加大引進集成電路領域優秀人才的支持力度，研究出臺針對優秀企業家和高素質技術、管理團隊的優先引進政策。支持企業通過并購或入股國內外企業等方式，獲取技術來源。鼓勵國內外企業在我省建設研發中心或生產中心等，積極承接國際國內高端產業轉移。
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